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深圳市驪微電子科技有限公司
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PN8161M-快充芯片
所屬分類:Chipown/芯朋微
品牌:芯朋微
型號(hào):PN8161M
封裝:SOP-8
功率:18W
電流:9-38V
型號(hào):PN8161M
封裝:SOP-8
功率:18W
電流:9-38V
訂購(gòu)熱線:0755-23087599
PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET,專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。
PN8161M該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的保護(hù)功能,包括輸出過(guò)壓保護(hù)、逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、軟啟動(dòng)、輸入欠壓保護(hù)功能。
通過(guò)QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)。
PN8161M快充芯片封裝/訂購(gòu)信息

PN8161M快充芯片管腳定義
管腳名 | 管腳標(biāo)號(hào) | 管腳功能描述 |
GND | 1 | 地 |
VDD | 2 | 工作電壓輸入引腳 |
FB | 3 | 反饋輸入引腳 |
DMG | 4 | 去磁引腳,通過(guò)電阻分壓采樣輸出電壓和輸入電壓 |
SW | 5,6,7,8 | 高壓MOSFET漏極腳 |
PN8161M快充芯片特性
■ 內(nèi)置690V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 準(zhǔn)諧振工作
■ 最高開(kāi)關(guān)頻率125kHz
■ 外圍精簡(jiǎn),無(wú)需啟動(dòng)電阻及CS檢測(cè)電阻
■ 高低壓腳位兩側(cè)排列提高安全性
■ 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng),空載待機(jī)功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的頻率調(diào)制技術(shù)
■ 供電電壓9-38V,適合寬輸出電壓應(yīng)用
■ 優(yōu)異全面的保護(hù)功能
■ 過(guò)溫保護(hù)
■ 輸出過(guò)壓保護(hù)
■ 輸入欠壓保護(hù)
■ 逐周期過(guò)流保護(hù)
■ 輸出開(kāi)/短路保護(hù)
■ 次級(jí)整流管短路保護(hù)
■ 過(guò)負(fù)載保護(hù)
典型功率
封裝 | 輸入電壓 | 密閉式條件 |
SOP8 | 90-265VAC | 18W |
PN8161M快充芯片典型電路

應(yīng)用領(lǐng)域
■ 充電器
■ 適配器
■ 開(kāi)放式開(kāi)關(guān)電源
PN8161的M版本PN8161M,跟PN8161和PN8161-R1H 腳位一樣,但改善了紋波、聲音、 溫度也更低點(diǎn),更多PN8161M產(chǎn)品手冊(cè),原理圖,電源輸入輸出規(guī)格,BOM 表和變壓器參數(shù)以及安規(guī)和 EMI 測(cè)試數(shù)據(jù)等資料可向驪微電子申請(qǐng)。>>