阿里巴巴店鋪
關(guān)注驪微
收藏驪微
推薦產(chǎn)品
聯(lián)系我們
深圳市驪微電子科技有限公司
電話：0755-23087599
手機：13808858392
郵箱：dunianhua@leweitech.com
地址：深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)鶴洲恒豐工業(yè)城B11棟5樓東
PN8611-內(nèi)置mos原邊反饋芯片
所屬分類：Chipown/芯朋微
品牌：芯朋微
型號：PN8611
封裝：SOP-8
功率：12W
電流：520mA
型號：PN8611
封裝：SOP-8
功率：12W
電流：520mA
訂購熱線：0755-23087599
PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片集成超低待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極管、CS電阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件超精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。
PN8611為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式，采用多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能效標準，內(nèi)置輸出線補償功能使系統(tǒng)獲得較好的負載調(diào)整率。
PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片提供了極為全面的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環(huán)保護、過溫保護和輸出短路保護等。
PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片產(chǎn)品特征
■ 內(nèi)置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 內(nèi)置高壓啟動電路，小于50mW空載損耗（230VAC）
■ 采用多模式技術(shù)提高效率，滿足6級能效標準
■ 全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
■ 原邊反饋可省光耦和TL431
■ 無需電流采樣電阻、FB反饋下電阻、VDD供電二極管
■ 無需額外補償電容
■ 無音頻噪聲
■ 智能保護功能
過溫保護 (OTP)
VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
逐周期過流保護 (OCP)
開環(huán)保護 (OLP)
封裝/訂購信息
PN8611管腳定義
| 管腳名 | 管腳標號 | 管腳功能描述 |
| DIO | 1 | 輔助繞組給VDD電容充電引腳 |
| VDD | 2 | 工作電壓輸入引腳 |
| FB | 3 | 反饋引腳，輔助繞組電壓通過電阻反饋穩(wěn)定輸出 |
| GND | 4 | 地電位 |
| SW | 5,6,7,8 | 智能功率MOSFET Drain端引腳，跟變壓器初級相連 |
PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片典型功率
PN8611典型應(yīng)用電路
外圍參數(shù)選擇參考
為了獲得更佳的 PN8611 系統(tǒng)性能，請務(wù)必遵守以下規(guī)則：
1. VDD 電容 EC1 應(yīng)放置在距離 VDD 引腳和 GND 引腳最近的地方。
2. 輔助繞組經(jīng) R1 到 FB 腳的走線盡量短，使 FB 采樣回路最小。
PN8611輸出特性
PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片應(yīng)用領(lǐng)域
■ 開關(guān)電源適配器
■ 電池充電器
■ 機頂盒電源
更多PN8611內(nèi)置mos原邊反饋芯片，電源輸入輸出規(guī)格，BOM 表和變壓器參數(shù)以及安規(guī)和 EMI 測試數(shù)據(jù)等資料，請向驪微電子申請。>>
