PN8161高性能準(zhǔn)諧振交直流轉(zhuǎn)換芯片內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括輸出過(guò)壓保護(hù)、周期式過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、軟啟動(dòng)功能，下面跟隨芯朋微一級(jí)代理驪微電子小編一起來(lái)看看。

　　

　　PN8161功能描述:　　

　　1. 啟動(dòng)：在啟動(dòng)階段，內(nèi)部高壓?jiǎn)��?dòng)管提供1mA電流對(duì)外部V DD 電容進(jìn)行充電。當(dāng)V DD 電壓達(dá)到 VDDon ，芯片開(kāi)始工作；高壓?jiǎn)��?dòng)管停止對(duì)V DD 電容充電。啟動(dòng)過(guò)程結(jié)束后，變壓器輔助繞組對(duì)V DD 電容提供能量。　　

　　2. 軟啟動(dòng)：?jiǎn)��?dòng)階段，漏極的最大峰值電流限制逐步的提高；可以大大減小器件的應(yīng)力，防止變壓器飽和。軟啟動(dòng)時(shí)間典型值為3.2ms。　　

　　3. 輸出驅(qū)動(dòng)：PN8161采用優(yōu)化的圖騰柱結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，通過(guò)合理的輸出驅(qū)動(dòng)能力以及死區(qū)時(shí)間，得到較好的EMI特性和較低損耗。　

　

　　4. 谷底開(kāi)通：PN8161是一款工作于準(zhǔn)諧振模式的集成芯片，通過(guò)DMG檢測(cè)到的消磁信號(hào)實(shí)現(xiàn)精確谷底開(kāi)通，以提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。在PWM模式，由第一谷底產(chǎn)生開(kāi)啟信號(hào)，工作頻率由系統(tǒng)設(shè)計(jì)的變壓器參數(shù)決定，最高工作頻率限制在125kHz。　　

　　5. 降頻工作模式：PN8161提供降頻工作模式，通過(guò)檢測(cè)FB腳電壓，在輕載和空載條件下降低開(kāi)關(guān)頻率以提高輕載效率。當(dāng)FB腳電壓小于 V FB_PFM ，芯片進(jìn)入降頻工作模式，開(kāi)關(guān)頻率隨負(fù)載降低而降低，直至最小頻率25kHz。　　

　　6. 間歇工作模式：極輕載時(shí)，PN8161進(jìn)入間隙工作模式以減小待機(jī)功耗。當(dāng)負(fù)載減輕，反饋電壓減小；當(dāng)FB腳電壓小于 V FB_BM ，芯片進(jìn)入間歇工作模式，功率管關(guān)斷。當(dāng)FB腳超過(guò) V FB_BM +V FB_BM_HYS 時(shí)，開(kāi)關(guān)管再次導(dǎo)通。　　

　　7. 過(guò)載保護(hù)：負(fù)載電流超過(guò)預(yù)設(shè)定值時(shí)，系統(tǒng)會(huì)進(jìn)入過(guò)載保護(hù)；在異常情況下，可對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行保護(hù)。當(dāng)V FB 電壓超過(guò)4.4V，經(jīng)過(guò)固定60ms的延遲時(shí)間，開(kāi)關(guān)模式停止。　　

　　8. 過(guò)溫保護(hù)：功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制電路更易于檢測(cè)MOSFET的溫度。當(dāng)溫度超145℃，芯片進(jìn)入過(guò)溫保護(hù)狀態(tài)。　　

　　

　　PN8161通過(guò)QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)，驪微電子代理的PN8161廣泛被應(yīng)用于充電器、適配器、開(kāi)放式開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。