普通充電器充電接口一般為USB A口，輸出電壓固定為5V，單口輸出電流不超過2.4A，受電網(wǎng)波動(dòng)影響，持續(xù)高壓容易損壞充電器器件，PD快充最大輸出功率不低于18W因此需增加通信模塊，以根據(jù)手機(jī)指令調(diào)整輸出電壓及最大電流限制，同時(shí)需采用寬供電范圍、高耐壓、低Rdson 同步整流，以提高功率密度。

　　

　　PD快充方案技術(shù)挑戰(zhàn)：原副邊芯片如何實(shí)現(xiàn)寬VDD工作范圍？不同輸出電壓下，如何提高轉(zhuǎn)換效率、簡化EMC設(shè)計(jì)？協(xié)議芯片的兼容性？

　　

　　PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。

　　

　　PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管。

　　

　　Q1:如何降低SR電壓應(yīng)力？　　

　　CCM模式被限制：啟動(dòng)瞬態(tài)，CCM模式僅存在于SR沒有工作前(輸出電壓低于3V)。正常工作時(shí)，PN8161被限制QR/DCM模式，由于不能工作在CCM模式，SR無額外尖峰電壓(反向恢復(fù)尖峰或直通尖峰)；　　

　　支持大匝比設(shè)計(jì)：PN8161內(nèi)置690V高雪崩智能MOSFET，支持11以上匝比設(shè)計(jì)，進(jìn)一步降低SR反壓。

　　

　　Q2:如何降低EMC設(shè)計(jì)難度？　　

　　PN8161 內(nèi)置頻率抖動(dòng)模塊，調(diào)節(jié)Ipk改變導(dǎo)通時(shí)間T1和消磁時(shí)間T2，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)頻率fs抖動(dòng)。

　　

　　負(fù)載越重，抖頻幅度越大，傳導(dǎo)易通過；負(fù)載減輕，由于T3增長，抖頻幅度隨之減小，避免音頻噪音。

　　

　　Q3：如何滿足CoC V5 Tier 2能效？　　

　　自適應(yīng)工作曲線：根據(jù)輸出電壓調(diào)整降頻曲線來.保證系統(tǒng)穩(wěn)定，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了不同輸出下高工作效率。　　

　　智能MOSFET：M1電流采樣節(jié)省CS電阻損耗；M2功率開關(guān)1.6ohmRdson，降低通態(tài)損耗；M3高壓啟動(dòng)移去2顆啟動(dòng)電阻，滿足30mW待機(jī)�！　�

　　高集成度同步整流：11mohmRdson小通態(tài)損耗；自適應(yīng)關(guān)斷閾值根據(jù)漏源端壓差來自主調(diào)節(jié)關(guān)斷閾值，以減小體二極管導(dǎo)通的時(shí)間。　

　　

　　

　　Q4：方案如何更安全可靠？
 

　　

　　Q5：方案如何更精簡？　　

　　1. 原邊芯片PN8161實(shí)現(xiàn)SOP8功率集成，節(jié)省啟動(dòng)電阻、CS偵測(cè)網(wǎng)絡(luò)等外圍；　　

　　2. 方案僅工作在QR/DCM模式，60V同步整流電壓裕量充足，PN8307H實(shí)現(xiàn)SOP8功率集成，簡化應(yīng)用；　　

　　3.SSR架構(gòu)，協(xié)議芯片任意搭，百家爭鳴，易實(shí)現(xiàn)最簡通信模塊；

　　

　　PN8307M+ PDPN8161 PD快充方案通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的最佳效率，充分保證良好的EMI表現(xiàn)，有效解決了不同輸出電壓下，實(shí)現(xiàn)提高轉(zhuǎn)換效率、簡化EMC設(shè)計(jì)、簡化環(huán)路設(shè)計(jì)等技術(shù)難題，驪微電子廣泛應(yīng)用于QC3.0充電器及適配器、開放式開關(guān)電源等產(chǎn)品中。