近幾年，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對芯片要求的不斷提升，對芯片的供電電壓也要求越來越低，反激同步整流芯片一般都是采用電阻小的功率MOS管代替二極管實(shí)現(xiàn)整流，降低電壓提高電源效率，反激同步整流控制芯片因其結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、在小功率領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
 

　　
 

　　PN8306反激芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，內(nèi)置13mΩ 40V Trench MOSFET適用于DCM和QR工作模式，用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。PN8306反激同步整流芯片內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET具有高精度次級電流檢測電路功能，以提高電流輸出能力，通過RT腳外置電阻可以靈活設(shè)置Tonmin，提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度，主要應(yīng)用于5V電池充電器及適配器領(lǐng)域。

　　

　　PN8307H反激同步整流芯片包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，內(nèi)置11mΩ 60V Trench MOSFET，適用于3.6V-20V寬供電范圍工作，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管，PN8307H反激芯片內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET，具有自適應(yīng)次級電流檢測電路功能以提高電流輸出能力，提升轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿足6級能效的標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠的裕量。PN8307H反激同步整流控制芯片集成了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護(hù)、防誤開啟、最小導(dǎo)通時間等功能，適用于QC3.0充電器及適配器及適配器。

　　

　　PN8308H反激同步整流控制芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，內(nèi)置10mΩ 80V Trench MOSFET，適用于CCM，DCM和QR工作模式，具有電流跟蹤關(guān)斷技術(shù)，能夠精確地 檢 測到內(nèi)置功率MOSFET的漏源端壓差，使得關(guān)斷閾值為最佳關(guān)斷值，以減小體二極管導(dǎo)通的時間，獲得最佳的效率，提升轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿足6級能效的標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠的裕量，主要用于9V/12V輸出適配器。

　　

　　反激同步整流芯片解決了以往采用肖特基二極管對于低壓大電流系統(tǒng)應(yīng)用上二極管的損耗提高系統(tǒng)效率的瓶頸，反激同步整流控制芯片具有電流跟蹤關(guān)斷技術(shù)，反激芯片控制功率MOSFET開關(guān)以實(shí)現(xiàn)同步整流功能，為了提高效率降低損耗，采用反激同步整流芯片同步整流技術(shù)已成為低電壓、大電流電源模塊的一種必然手段。