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深圳市驪微電子科技有限公司
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SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶體管參數
所屬分類：IGBT
品牌：士蘭微
型號：SGTP5T60SD1D
封裝：TO-252
功率：600V
電流：5A
型號：SGTP5T60SD1D
封裝：TO-252
功率：600V
電流：5A
訂購熱線：0755-23087599
SGTP5T60SD1D/F/S絕緣柵雙極型品體管采用士蘭微電子第三代場截止(Field Stop)工藝制作，具有較低的導通損耗和開關損耗，該產品可應用于UPS，SMPS以及PFC等領域。
SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252特征
■ 低導通損耗
■ 快開關速度
■ 高輸入阻抗
■ 5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A
SGTP5T60SD1D/FS IGBT 5A 600V to252極限參數（除非特殊說明，Tc=25℃）
| 參數 | 符號 | 參數范圍 | 單位 | |||
| SGTP5T60SD1D | SGTP5T60SD1F | SGTP5T60SD1S | ||||
| 集電極射極電壓 | VCE | 600 | V | |||
| 柵極射極電壓 | VGE | ±30 | V | |||
| 集電極電流 | Tc=25℃ | Ic | 10 | A | ||
| Tc=100℃ | 5 | |||||
| 集電極脈沖電流 | IcM | 15 | A | |||
| 二極管電流 | IF | 10 | A | |||
| 短路維持時間 | TSC | 10 | us | |||
| (VGE=15V,Vcc=300V) | ||||||
| 耗散功率(Tc=25℃) | PD | 82 | 35 | 83 | W | |
| 工作結溫范圍 | TJ | -55~+150 | ℃ | |||
| 貯存溫度范圍 | Tstg | -55~+150 | ℃ | |||
SGTP5T60SD1D IGBT 5A 600V to252晶體管，5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，采用TO252封裝，可兼容替換AOD5B65M1，典型應用于電機逆變 IGBT。
