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pfc igbt 耐壓600V 30A SGT30T60SDM1P7替代STGW30M65DF2
所屬分類(lèi)：IGBT
品牌：士蘭微
型號(hào)：SGT30T60SDM1P7
封裝：T0-247-3L
功率：600V
電流：30A
型號(hào)：SGT30T60SDM1P7
封裝：T0-247-3L
功率：600V
電流：30A
訂購(gòu)熱線：0755-23087599
PFC IGBT是一種將MOSFET的高開(kāi)關(guān)速度與雙極型晶體管的低通導(dǎo)損結(jié)合起來(lái)的半導(dǎo)體器件，通過(guò)降低從主電源中提取的輸入電流的諧波失真來(lái)提高交直流電源的效率，PFC IGBT 設(shè)備通常用于工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用中，以實(shí)現(xiàn)高效率和功率因數(shù)校正。
SGT30T60SDM1P7絕緣柵雙極型晶體管采用士蘭微電子第三代場(chǎng)截止(Field Stop IlI)工藝制作，具有較低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，可兼容替換ST/意法STGW30M65DF2。
SGT30T60SDM1P7替代STGW30M65DF2特點(diǎn)
■ 低導(dǎo)通損耗
■ 快開(kāi)關(guān)速度
■ 高輸入阻抗
■ 30A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=30A
pfc igbt SGT30T60SDM1P7極限參數(shù)（除非特殊說(shuō)明，Tc=25℃）
| 參數(shù) | 符號(hào) | 參數(shù)范圍 | 單位 | |
| 集電極射極電壓 | VCE | 600 | V | |
| 柵極射極電壓 | VGE | ±20 | V | |
| 集電極電流 | Tc=25℃ | Ic | 60 | A |
| Tc=100℃ | 30 | |||
| 集電極脈沖電流 | IcM | 90 | A | |
|
二極管電流 Tc=25℃ Tc=100℃ |
IF | 60 | ||
| 30 | A | |||
| 短路維持時(shí)間(VGE=15V,Vcc=300V) | TSC | 10 | us | |
| 耗散功率(Tc=25℃) | PD | 230 | W | |
| 工作結(jié)溫范圍 | TJ | -55~+150 | ℃ | |
| 貯存溫度范圍 | Tstg | -55~+150 | ℃ | |
STGW30M65DF2替代料SGT30T60SDM1P7，采用 T0-247-3L封裝，額定電壓：650V，額定電流：30A，最大導(dǎo)通電壓降：1.65V，電氣特性與ST/意法STGW30M65DF2基本上一致，可兼容替代，具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電壓降，廣泛應(yīng)用UPS，SMPS以及PFC等領(lǐng)域。
