在光耦驅(qū)動(dòng)的電路中，針對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)電流是需要特別進(jìn)行估算的。當(dāng)然估算的方式不止一種，一般常用的估算方式有3種方式，本文就將對(duì)這三種估算方式進(jìn)行介紹。并對(duì)每種估算方式進(jìn)行講解，感興趣的朋友快來(lái)看一看吧。

 

    公式估算法

 

    可以使用如下公式對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)電流進(jìn)行估算：

 

    Ig=Qg/Ton

 

    其中：Ton=t3-t0≈td（on）+tr

 

    td（on）：MOS導(dǎo)通延遲時(shí)間，從有駛?cè)腚妷荷仙��?0%，開(kāi)始到VDS下降到其幅值90%的時(shí)間。

 

    Tr：上升時(shí)間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間。

 

    Qg=（CEI）（VGS）或Qg=Qgs+Qgd+Qod（可在datasheet中找到）。

 

    公式估算法的變形

 

    密勒效應(yīng)時(shí)間（開(kāi)關(guān)時(shí)間）Ton/off=Qgd/Ig；

 

    Ig=[Vb-Vgs（th）]/Rg；

 

    Ig：MOS柵極驅(qū)動(dòng)電流；Vb：穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)電壓；

 

    曲線估算發(fā)

 

    以IR的IRF640為例，看DATASHEET里有條TotalGateCharge曲線。該曲線先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開(kāi)通（密勒效應(yīng)）。假定設(shè)計(jì)者希望在0.2us內(nèi)使管開(kāi)通，估計(jì)總時(shí)間（先上升然后水平再上升）為0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A。當(dāng)然這是峰值，僅在管子開(kāi)通和關(guān)短的各0.2us里有電流，其他時(shí)間幾乎沒(méi)有電流，平均值很小，但如果驅(qū)動(dòng)芯片不能輸出此峰值，管子的開(kāi)通就會(huì)變慢。

 

    本文主要為大家介紹了3種目前較為常見(jiàn)的對(duì)于光耦應(yīng)用中MOS管進(jìn)行估算的方法。每種方法都有其自身的特點(diǎn)，根據(jù)不同的情況，設(shè)計(jì)者可以根據(jù)公式或曲線模式來(lái)對(duì)MOS管的取值進(jìn)行估算。