TK10A60D場效應晶體管MOS管開關穩壓器的應用

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文章出處：驪微電子責任編輯：電源管理芯片人氣：-發表時間：2018-11-28

　　TK10A60D場效應晶體管MOS管參數：

　　低漏極 - 源極導通電阻：RDS（ON）=0.62Ω（典型值）

　　高正向傳輸導納：| Yfs | = 6.0 S（典型值）

　　低漏電流：IDSS =10μA（VDS = 600 V）

　　增強模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

　　TK10A60D絕對最大額定值:

　　注意：在重負載下連續使用（例如高溫/電流/電壓的應用和溫度的顯著變化等）可能導致該產品的可靠性顯著降低如果操作條件（即操作溫度/電流/電壓等）在絕對最大值內收視率.

　　TK10A60D熱特性:

　　TK10A60D電氣特性（Ta = = 25°C）:

　　TK10A60D源漏評級和特性（Ta = = 25°C）

　　如果需要產品TK10A60D的詳細手冊或其他資料，請向我們申請。>>