PN8611高精度原邊反饋恒流恒壓芯片是一款高性能的原邊反饋控制器。PN8611工作在原邊檢測(cè)和調(diào)整模式，可省略系統(tǒng)的光耦和TL431。PN8611擁有恒壓恒流控制環(huán)路，可以實(shí)現(xiàn)高精度的恒壓、恒流輸出，以滿足大部分充電器和適配器需求。PN8611內(nèi)置高壓?jiǎn)��?dòng)電路和極低的芯片功耗使得系統(tǒng)能夠滿足較高的待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)。

　　

　　1. 高壓?jiǎn)��?dòng)控制　　

　　在啟動(dòng)階段，采用高壓?jiǎn)��?dòng)技術(shù)，芯片啟動(dòng)前2mA電流源為內(nèi)部偏置電路供電并給外部VDD電容充電，快速啟動(dòng)。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDon，芯片開(kāi)始工作的同時(shí)高壓?jiǎn)��?dòng)電路關(guān)斷；只要VDD電壓不低于VDDoff，芯片維持正常工作。啟動(dòng)后，偏置電路通過(guò)輔助源供電，同時(shí)啟動(dòng)電路只有一路極小的電流，實(shí)現(xiàn)低損耗。

　　

　　2. CC 工作模式　　

　　在CC工作狀態(tài)，PN8611原邊反饋恒流恒壓芯片采樣FB引腳的信號(hào)（由輔助繞組信號(hào)通過(guò)電阻接入FB），輔助繞組信號(hào)脈寬決定振蕩頻率。輸出電壓越高，脈寬越小，同時(shí)振蕩頻率越高，這樣可獲得恒定的輸出電流。非連續(xù)模式的電流工作波形如圖1所示。在MOSFET導(dǎo)通（Ton）期間，原邊電流Ipri上升。當(dāng)MOSFET關(guān)閉時(shí)，變壓器原邊的能量會(huì)傳遞到次級(jí)，次級(jí)電流最大值為

　　

　　輸出電流值為　

　

　　當(dāng)TP=2×Tdemag，且VCS恒定時(shí)，輸出電流IO是恒定值，因此可以得到恒流輸出。

　　

　　3. CV 工作模式　　

　　在CV工作狀態(tài)，PN8611原邊反饋恒流恒壓芯片使用脈沖采樣VFB電壓，并保持到下個(gè)采樣點(diǎn)。將采樣的電壓和VREF_CV基準(zhǔn)比較，并放大誤差。這個(gè)誤差值代表負(fù)載情況，通過(guò)控制開(kāi)關(guān)信號(hào)，調(diào)節(jié)輸出電壓，使得輸出恒定。

　　

　　輸出電壓Vo和VREF_CV的關(guān)系為　　

　　其中， NS 和 NAUX 分別為次級(jí)繞組和輔助繞組的圈數(shù)。

　　

　　在重載條件，芯片工作在PFM模式，Ipeak不變，工作頻率隨輸出電流減小而減�。划�(dāng)頻率減小到25kHz左右，芯片進(jìn)入PWM模式，頻率調(diào)制變得非常緩慢，Ipeak隨輸出電流減小而減小，該模式可以避免音頻噪音，同時(shí)有利于提升25%帶載效率；當(dāng)芯 片 Ipeak 調(diào)制到 200mA ，芯片進(jìn)入空載模式（Standby模式），Ipeak不變，工作頻率隨輸出電流減小而減小，波形如圖2所示。

　　

　　4. 電流檢測(cè)和前沿消隱　　

　　PN8611高精度原邊反饋恒流恒壓芯片提供逐周期電流檢測(cè)功能。芯片通過(guò)智能MOS采樣管檢測(cè)功率管電流，原邊電流最大值設(shè)置為520mA，最大輸出功率由芯片固定。功率管開(kāi)通瞬間會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓，內(nèi)部前沿消隱電路可防止誤觸發(fā)。

　　

　　5. 保護(hù)控制　　

　　PN8611高精度原邊反饋恒流恒壓芯片含有豐富的保護(hù)功能，包括：逐周期過(guò)流保護(hù)、輸出過(guò)壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、輸出短路保護(hù)、VDD欠壓鎖定保護(hù)功能，并且這些保護(hù)具有自恢復(fù)模式。

　　驪微電子代理銷(xiāo)售各大品牌的充電器芯片、適配器芯片、小家電芯片等各類(lèi)電子元器件，可以滿足市場(chǎng)多樣化的需求，為客戶提供高性價(jià)比、性能優(yōu)異、品質(zhì)穩(wěn)定的電源方案及現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持服務(wù)，更多相關(guān)方案資料可向我們申請(qǐng)。>>