中國終于下決心要做存儲器芯片，武漢新芯計劃投資240億美元，于2018年開始量產3D NAND閃存，引起全球的熱議。客觀地說能夠下這樣的決心是十分不易，國內國外抱懷疑者很多，基本上反映中國欲進軍存儲器業(yè)的現實。

 

    中國半導體業(yè)處于特定環(huán)境中，提出產業(yè)的自主可控是迫不得已。西方總是冷眼相對，控制及干擾我們的先進技術進步，所以中國在CPU方面的開發(fā)至少己有20年的歷史。

 

    如今中國的國力己大增，集成電路產業(yè)具一定規(guī)模，似乎資金方面、與之前大不同，己有所積累，所以此次下決心選擇存儲器芯片作為IDM模式的突破口，主要是產業(yè)發(fā)展需要，也是眾望所歸。

 

    歸納起來，目前存儲器有三個方面的力量正在聚集，一個是政府主導的武漢新芯，它們與中科院微電子所等合作，據說己經有9層3D NAND樣品。另一個是紫光，它的策略是先通過兼并，站在一定高度之后再自行研發(fā)。最后一個是兩個地方政府，福建與合肥，它們試圖尋找技術伙伴，或者挖技術團隊后再前進。其中如福建投資在泉州的晉華集成電路，它由聯電開發(fā)DRAM相關制程技術，產品將是32納米制程的利基型DRAM，未來技術將授權給晉華，同時聯電也可以保有研發(fā)成果。

 

    依目前的態(tài)勢由于做的產品不同，有3D NAND，利基型DRAM，DRAM及NAND，采用的路徑不同，以及合作對象也不一樣，正如同“百花齊放”，因此都有一定的可能，但又都不太確定。

 

    然而依照中國的囯力與條件又不可能支持得起那么多條存儲器生產線，所以未來可能還要等2-3年時間的觀察，結果才會更加明朗。

 

    個人不成熟的看法由于武漢新芯是依靠自行研發(fā)為主，盡管這條道可能慢些，暫時技術方面落后，但是能有屬于自己的東西，它的未來至少國家一定會支持到底，相對有成功的可能與希望。

 

     近期又傳來紫光可能與新芯合作的方案，對于雙方可能都是個理性的選擇。但是要與美光合作變成中國版的“華亞科”模式有些擔憂。

 

    因為此種跟隨型模式，盡管看似省心省事，但是中方缺乏自主能力，另外擔心美光會采取不同的技術轉移策略，讓中國處于最低端，因此要慎之又慎。

 

     如果未來由英特爾，三星，海力士，臺積電，聯電，GF及力晶等獨資以及“穿馬甲”的公司來主導中國的芯片制造業(yè)，對于如中芯國際，華力微等企業(yè)的成長并非有利。因此要全面正確的認清當前形勢，從道理上如中芯國際等企業(yè)應該加快研發(fā)步伐，在逆境中迅速崛起。