GaN中文名氮化鎵，是一種新型半導體材料，它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫等多種優(yōu)點，被譽為第三代半導體材料，而將GaN氮化鎵功率器件導入到充電器中，將會給體積帶來顯著變化，幫助到快充實現(xiàn)輕薄化、小型化，常見于USB PD快充等中高階產品中，可以在超小的體積上實現(xiàn)大功率輸出，改變行業(yè)設計制造方案、改變消費者使用習慣。

　　

　　據(jù)相關數(shù)據(jù)顯示統(tǒng)計，2019年，搭載USB Type-C接口的設備出貨量預計將達到20億臺。其中USB Type-C在筆記本、臺式電腦中的滲透率將達到80%，在智能手機和平板電腦等產品中的滲透率也將達到50%。未來，所有使用USB的設備皆有可能統(tǒng)一為Type-C，這一次，氮化鎵遇上了USB PD普及，風口即將來臨。
 

　　

　　不過目前氮化鎵充電器正從實驗室走向市場，面臨著商用化的挑戰(zhàn)，價格極貴，后期將隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產、工藝制程革新等，會逐漸走向平民化，而最終也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件，在氮化鎵充電器尚未普及之前，讓我們先了解下基于N8161+PN8307H的18W PD快充電源應用方案。

　　

　　PN8161內部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。

　　

　　PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。
 

　　

　　18W PD快充方案亮點：　　

　　節(jié)省10顆以上外圍：無啟動電阻、無CS偵測網絡，原副邊均實現(xiàn)SOP8功率集成；　　

　　滿足CoC V5 Tier 2：專利高壓啟動，實現(xiàn)30mW待機功耗；工作曲線隨輸出電壓自適應，不同輸出電壓下平均效率裕量均大于4個點；　　

　　EMC性能卓越：抖頻幅度隨負載自適應，改善傳導；DCM/QR工作模式，避免次級整流管反向恢復問題，改善輻射；　　

　　3.3~12V寬輸出電壓范圍：PN8161/PN8307H供電范圍寬，無需額外LDO穩(wěn)壓；　　

　　協(xié)議芯片任意搭：SSR架構，方案易滿足PD3.0/QuickCharge 4+。

　　

　　在參數(shù)方面，18W PD快充充電器方案支持90~265Vac范圍的交流電壓輸入，擁有市電Brown in/out、輸出過壓保護、精準過溫保護、逐周期過流保護、次級整流管短路保護等，USB-C口支持最大18W輸出，輸出規(guī)格支持12V1.5A；9V2A；5V3A，滿足CoC V5-2，4個點裕量，可為手機、筆記本、游戲機等設備匹配最佳充電電壓，如果需要產品的詳細手冊或其他資料，可向驪微電子申請。>>