在24日的“2016中國半導體市場年會暨第五屆中國集成電路產業創新大會”上，與會領導及嘉賓發言一致顯示，中國集成電路產業發展將呈現三大新趨勢：自主創新將被大力扶持、存儲器是今年的發展重點、超越摩爾領域將成為新熱點。

 

     在24日的“2016中國半導體市場年會暨第五屆中國集成電路產業創新大會”上，與會領導及嘉賓發言一致顯示，中國集成電路產業發展將呈現三大新趨勢：自主創新將被大力扶持、存儲器是今年的發展重點、超越摩爾領域將成為新熱點。
 

　 中科院院士倪光南、中科院微電子所所長葉甜春一致認為，中國集成電路發展要走自主創新的道路。葉甜春強調在中國集成電路有了一定基礎后，提倡自主創新，尤其是原始創新和集中創新是當務之急；倪光南則對比聯想、華為的發展，表示中國集成電路還是要走自主創新道路。
 

　 存儲器將是今年的發展重點。國家集成電路產業投資基金股份有限公司（下稱大基金）總經理丁文武表示，大基金今年的重點之一就是支持存儲器發展。據悉，武漢新芯二期存儲器項目、江蘇淮安德科瑪圖像傳感器IDM項目、重慶AOS12寸MOSFET功率半導體項目均將于3月份啟動。
 

　 基于物聯網的發展，超越摩爾領域正在受到越來越多的關注。工信部副部長懷進鵬多次提到要大力發展超越摩爾領域相關技術和產品，葉甜春則表示IC未來的發展方向在物聯網，MEMS與集成電路的融合將是趨勢。