根據(jù)SEMI(國際半導體產業(yè)協(xié)會)的全球晶圓廠預測(World Fab Forecast)報告指出，2015年晶圓代工業(yè)整體產能已超越記憶體，成為半導體產業(yè)當中最大的部門，并且在未來幾年可望持續(xù)領先。預料晶圓代工產能每年將成長5%，超越業(yè)界整體表現(xiàn)，晶圓代工產能到2017年底預計將達到每月6百萬片(8寸約當晶圓)。

 

    2015年晶圓代工業(yè)整體產能已超越記憶體，成為半導體產業(yè)當中最大的部門，并且在未來幾年可望持續(xù)領先。

 

    臺灣的晶圓代工產能居全球之冠，其中12寸的產能占全球晶圓代工產能比重55%以上。臺積電與聯(lián)電是臺灣晶圓代工產能的兩大主要推手。臺積電十二廠第七期、十五廠第五及第六期正積極準備迎接10奈米以下制程產能。聯(lián)電則持續(xù)擴充28奈米產能，十二A廠第五期也準備投入14奈米制程。

 

    另一方面，晶圓代工產能全球第二的中國則是成長最快的市場。2015年中國整體晶圓代工產能為每月95萬片，預計到了2017年底將增至每月120萬片，占全球晶圓代工產能將近20%。中國晶圓代工龍頭中芯國際(SMIC)目前正致力提升北京B1廠和上海八廠(兩者均為12寸廠)等既有廠房的產能。同時該公司也正在提升新成立的北京B2廠(12寸)與深圳十五廠(8寸)產能。中芯的擴充計畫同時包含了先進的28奈米/40奈米產能，以及技術成熟的8寸晶圓制程。其他擴大產能的業(yè)者還包括武漢新芯(XMC)，旗下A廠產能將持續(xù)投入NOR快閃記憶體代工業(yè)務;上海華力(Huali)也即將成立第二座晶圓廠，預計明年動工，2018下半年起可望開始投注產能。

 

    未來幾年，臺灣的晶圓代工業(yè)者也將對中國晶圓代工產能有所貢獻。今年稍晚聯(lián)電位于廈門的12X廠將開始投產，2017年有力晶合肥廠，臺積電南京廠則將在2018年上線。這三處廠房全面投產后，將帶來每月至少11萬片(12寸)晶圓的產能。

 

    除了增加產能，先進制程的技術競賽也特別激烈。臺積電、三星(Samsung)與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)都想在10奈米以下技術節(jié)點取得領先地位。技術的演進將帶動晶圓代工業(yè)者在未來幾年內持續(xù)投資，其中又以臺灣與中國為最。

 

     SEMI臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，“2016年全球半導體產業(yè)穩(wěn)定成長，臺灣半導體產業(yè)長成長速度更是優(yōu)于全球，尤其晶圓代工廠在制程創(chuàng)新、增加新產能以及設備投資方面都將領先其他廠商，也代表臺灣在全球半導體產業(yè)中持續(xù)扮演技術與產能的領頭羊角色。”