三星今天在首爾宣布，正式開始10nm FinFET工藝SoC芯片的量產(chǎn)工作，進(jìn)度業(yè)界第一，也就是領(lǐng)先臺(tái)積電和Intel。

 

    去年，三星率先拿出了首個(gè)FinFET工藝的移動(dòng)AP(應(yīng)用處理器)，也就是我們熟知，立下赫赫戰(zhàn)功的Exynos 7420。

 

    據(jù)悉，三星目前的10nm工藝是10LPE(low-power early)，也就是早期低功耗版，這一點(diǎn)和14nm時(shí)代的進(jìn)程一致，后續(xù)還會(huì)有10nm LPP(low power plus, advanced power processing)，預(yù)計(jì)明年下半年量產(chǎn)，可用于更高性能的芯片。

 

    按照三星給出的參考值，相較14nm，10nm晶體管面積效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。韓國(guó)巨頭還表示，為了克服比例限制，邊緣技術(shù)依然沿用了之前的三重切削，以保證節(jié)點(diǎn)雙向鏈路的靈活性。

 

    三星稱，明年初會(huì)正式發(fā)布首款消費(fèi)級(jí)的10nm FinFET芯片，毫無(wú)疑問，Exynos 8895和驍龍830系列芯片可以放心用了，今天傳出的高通10nm轉(zhuǎn)單臺(tái)積電應(yīng)該是“不攻自破”了。