三星今天在首爾宣布，正式開始10nm FinFET工藝SoC芯片的量產工作，進度業界第一，也就是領先臺積電和Intel。

 

    去年，三星率先拿出了首個FinFET工藝的移動AP(應用處理器)，也就是我們熟知，立下赫赫戰功的Exynos 7420。

 

    據悉，三星目前的10nm工藝是10LPE(low-power early)，也就是早期低功耗版，這一點和14nm時代的進程一致，后續還會有10nm LPP(low power plus, advanced power processing)，預計明年下半年量產，可用于更高性能的芯片。

 

    按照三星給出的參考值，相較14nm，10nm晶體管面積效率提升30%，性能提升27%，功耗降低40%。韓國巨頭還表示，為了克服比例限制，邊緣技術依然沿用了之前的三重切削，以保證節點雙向鏈路的靈活性。

 

    三星稱，明年初會正式發布首款消費級的10nm FinFET芯片，毫無疑問，Exynos 8895和驍龍830系列芯片可以放心用了，今天傳出的高通10nm轉單臺積電應該是“不攻自破”了。