中芯國際與聯芯科技近日共同宣布，中芯國際28納米高介電常數金屬閘極(HKMG)制程已成功流片，基于此平臺，聯芯科技推出適用于智能手機等領域的28納米SoC芯片，包括高性能應用處理器和移動基帶功能，目前已通過驗證，準備進入量產階段。

 

     中芯國際董事長周子學博士與大唐電信科技產業集團董事長、總裁真才基使用中國品牌智能手機，該手機搭載了聯芯科技28納米 4G SoC 芯片，該芯片基于中芯國際28納米HKMG技術平臺打造。中芯國際是中國大陸首家能夠同時提供28納米多晶硅(PolySiON)和HKMG制程的晶圓代工企業。與傳統的PolySiON制程相比，中芯國際28納米HKMG技術將有效改善驅動能力，進而提升晶體管的性能，同時大幅降低柵極漏電量。基于中芯國際28納米HKMG制程平臺，聯芯科技推出的智能手機SoC芯片擁有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗，CPU主頻達1.6GHz。延續聯芯科技在4G移動通信市場的佳績，該芯片的面世將推動搭載“中國芯”的智能手機進一步擴大市場份額。

 

     中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云表示，“很高興能與聯芯科技在28納米HKMG平臺進行合作，共同打造先進的智能手機SoC芯片。繼采用中芯國際28納米PolySiON制程的芯片加載主流智能手機后，我們的28納米HKMG工藝也獲得了終端客戶的認可，商用在即。我們還將持續進行28納米技術平臺的開發及改善，預計將在2016年底推出基于HKMG制程的緊湊加強型版本，為客戶提供更多優化的制程選擇。”

 

     聯芯科技總經理錢國良表示，“聯芯科技始終致力于3G/4G移動互聯網終端核心技術的研發與應用，并堅持與產業鏈合作伙伴一起緊密協作，打造品質一流的芯片產品。此次與中芯國際在28納米HKMG領域的合作，可謂產業協同，強強聯合，將有力地推動國產芯片技術的發展。同時，此舉將直接幫助聯芯科技的芯片產品進一步提升性價比，服務于智能手機、智能汽車，以及機器人等領域，服務‘中國制造2025’。未來，我們還將與中芯國際繼續強化合作，在更先進的技術節點上共同開發高性能的芯片產品。”