關于電阻在電路當中的使用，網絡上有很多相關資料可供查閱。但這些資料針對的情況較少，無法滿足設計者們在電路設計過程中遇到的這樣或者那樣的問題。在本文當中驪微電子小編就將為大家介紹一個電阻在升壓芯片電路中的位置問題。

 

    在本例中，驪微電子小編帶領大家來分析在某些電路中如果想要pwm波正常，為什么需要在mos管G級與DC-DC升壓芯片之間要加個電阻。

 

    很多電路在驅動mos管時候，都會在柵極上串一個很小的電阻，從幾歐姆到十幾歐姆不等。網絡上的資料對這種做法解釋不一，有的說是限制電流、保證開關速度，有的說是驅動互補mos管時防止直通，眾說紛紜，那么真相究竟是怎樣的呢？

 

    簡單來說，MOSFET的閘極有雜散電容有引線電感走線電感輸入阻抗又高Q值大容易諧振。因此加個電阻或磁珠降低Q值讓它不容易振蕩，電阻有額定功率，當超過其額定功率時，電阻就會燒毀。之所以要求額定功率值是因為給MOS管柵極電容充電時，充電電流可能會很大，如果電阻額定功率不夠，同樣可能被燒掉。

 

   另一方面，電阻的這種現(xiàn)象也與EMI的設計有所關聯(lián)。減緩驅動波形上升速度，假設驅動方波上升時間為t，則方波頻域上高頻時轉折頻率為1/（pai*t），t越小則高頻成分越高。加上一個小電阻，可以減小Cgs的充電速度，減小驅動波形的上升速度。減小dv/dt為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩，減小集電極的電壓尖峰，應在柵極串上合適的電阻Rg。當Rg增大時，導通時間延長，損耗發(fā)熱加劇。Rg減小時，di/dt增高，可能產生誤導通，使器件損壞。應根據管子的電流容量和電壓額定值以及開關頻率來選取Rg的數(shù)值。通常在幾歐至幾十歐之間（在具體應用中，還應根據實際情況予以適當調整）。另外為防止門極開路或門極損壞時主電路加電損壞器件，建議在柵射間加入一電阻Rge，阻值為10kΩ左右。