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5V2.4A 六級能效充電器套片方案
今天我們?yōu)楦魑环劢z詳細介紹PN8305與PN8370配合使用，輕松實現(xiàn)5V2.4A六級能效電源方案。
1.封裝及腳位配置圖
PN8370集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。
PN8370為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。
PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級整流肖特基二極管。
PN8305內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能力，提升轉換效率并降低芯片溫度。
2.PCB及DEMO實物圖
3.方案典型應用圖
4.方案特性
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輸入電壓：90~265Vac全電壓
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輸出電壓：5V
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輸出電流：2.4A
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平均效率：≥79.94%(滿足六級能效要求)
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待機功耗<75mW
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多重補償（線補償、CC補償、溫度補償、輕載補償）無需外部元件
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輸出短路保護、輸出過流保護，VDD過壓保護，F(xiàn)B分壓電阻開路、短路保護，電流偵測電阻Rcs短路保護，過溫保護。
5.測試數(shù)據(jù)
6.EMC測試
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EMI傳導、輻射滿足EN55022 Class B標準要求，裕量均大于6.0dB
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ESD滿足IEC61000-4-2，8kV/15kV等級要求
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EFT滿足IEC 61000-4-4: 2004，4kV等級要求
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Surge滿足IEC 61000-4-5:2005，1kV等級要求
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交流絕緣滿足3.75kV,60s, 漏電流小于5mA要求
7.應用要點
PN8370工作在DCM模式，忽略傳輸瞬態(tài)Tr和Tf，導通時間、去磁時間和振蕩時間分別為：
PN8370在T2時間內(nèi)間接采樣輸出電壓信號，為減小漏感振蕩對采樣的影響，最小T2時間應足夠長(5V2.4A應用建議大于2.5us)：
備注：電源在小負載工況下，PN8370的Vcs=0.17V以避免音頻噪音。
PN8305須在T2時間內(nèi)完成Trench MOSFET的開通和關斷，其最小導通時間由RT電阻設定：
因此RT電阻建議取值為:
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