據人民日報報道，從中國信息通信科技集團獲悉，我國自主研發的首款商用“100G硅光收發芯片”正式投產使用，該款商用化硅光芯片在一個不到30平方毫米的硅芯片上集成了包括光發送、調制、接收等近60個有源和無源光元件。
 

　　

　　該芯片支持100-200Gb/s高速光信號傳輸，不僅“身材”超小，性能更高，成本還更低，可通用化，廣泛應用于傳輸網和數據中心光傳輸設備，是目前國際上已報道的集成度最高的商用硅光子集成芯片之一。

　　

　　據悉，硅光芯片由國家信息光電子創新中心、光迅科技公司、光纖通信技術和網絡國家重點實驗室、中國信息通信科技集團聯合研制，由于硅材料來源豐富，成本低，機械性能、耐高溫能力非常好，便于芯片加工和封裝。
 

　　

　　此次100G/200G全集成硅基相干光收發集成芯片和器件的量產，已通過用戶現網測試，性能穩定可靠，該芯片完成封裝后，其硅光器件產品的尺寸僅為312平方毫米，面積為傳統器件的三分之一。
 

　　

　　工信部主導成立國家信息光電子創新中心，借助集成電路已大規模商用的CMOS工藝平臺實現硅光芯片的生產制造，不但有效解決我國高端光電子芯片制造能力薄弱、工藝能力不足的問題。同時也推動四家單位通力合作實現了100G硅光芯片的產業化商用，不僅展現出硅光技術優勢，也表明我國已經具備了硅光產品商用化設計的條件和基礎。

　　
 

　　傳統的芯片是以電為傳輸介質，硅光芯片則要借助光來進行，這是一項面向未來的顛覆性、戰略性和前瞻性技術，未來幾年，硅光技術有望在光通信系統中大規模部署和應用，推動我國自主硅光芯片技術向超高速、超大容量、超長距離、高集成度、高性能、低功耗、高可靠的方向發展。