得益于這幾年開關(guān)電源PSR技術(shù)的迅速發(fā)展，PSR方案通過采取多工作模式+前饋補(bǔ)償?shù)燃夹g(shù)，其轉(zhuǎn)換效率、電壓調(diào)整率、動態(tài)負(fù)載響應(yīng)等指標(biāo)已逼近或超越SSR方案，其自適應(yīng)恒流功能有益于電源及供電設(shè)備可靠運(yùn)行，相比傳統(tǒng)的SSR方案，可去掉光耦，431 等元器件，以原邊輔助繞組作為采樣電壓，成本優(yōu)勢明顯，獲得了廣大工程師的青睞。

　　

　　PSR技術(shù)一般是怎么劃分的？　　

　　根據(jù)恒壓控制策略，我們將PSR技術(shù)劃分為四代，第一代工作在單一的PFM模式，隨負(fù)載線性降頻；第二代工作在分段PM模式,隨負(fù)載分段降頻，前饋補(bǔ)償功能豐富；第三代工作在PFM+PWM混合模式，動態(tài)和音頻噪音指標(biāo)大幅改善；第四代工作在CCM+PFM+PW混臺工作模式，功率應(yīng)用等級大幅度提高，目前芯朋微PSR量產(chǎn)電源方案以第二代(如PN835X系列)和第三代(如PN836X系列)技術(shù)為主導(dǎo)，第四代技術(shù)會在未來一兩年逐步成熟。

　　

　　相比同行產(chǎn)品，芯朋微PSR方案具有有哪些特點(diǎn)？　　

　　芯朋微PSR產(chǎn)品除了控制策略上的創(chuàng)新，還集成了芯朋徹專利智能MOS。以第三代產(chǎn)品PN8370為例，其卓越性能得益于六大自由專利技術(shù)。　　

　　1、高壓啟動技術(shù)：可實(shí)現(xiàn)200ms快速啟動、30mW待機(jī)功耗。　　

　　2、自適應(yīng)谷底開通技術(shù)：降低功率管溫度,提高轉(zhuǎn)換效率，SOP可實(shí)現(xiàn)12W電源應(yīng)用。　　

　　3、高雪崩能力 VDMOS：最小耐壓690V，抗電網(wǎng)沖擊能力強(qiáng)，尤其適合印度市場應(yīng)用。　　

　　4、集成電流采樣管：精確采樣功率管電流,可實(shí)現(xiàn)cS電阻異常短路保護(hù)。　　

　　5、逐級限頻控制技術(shù)：改善動態(tài)，滿足5K∨以上等級EFT測試。　　

　　6、軟驅(qū)動技術(shù)：減緩開關(guān)速度，提高EMC裕量。

　　

　　開關(guān)電源原邊反饋（PSR）技術(shù)未來發(fā)展方向？　　

　　1、為了實(shí)現(xiàn)更高轉(zhuǎn)換效率和功率傳輸，PSRcontroller需在3個以上工作模式運(yùn)行，CCM需斜率補(bǔ)償，不同模式控制對象變化較大，PSR環(huán)路控制器要在穩(wěn)準(zhǔn)快中取舍。　　

　　2、為了實(shí)現(xiàn)更低待機(jī)功耗，變壓器的去磁時間變短，要求 PSRcontroller脈沖電壓采樣更準(zhǔn)，減小變壓器漏感振蕩對輸出電壓估算的影響。　　

　　3、恒流精度提高困難，大功率PSRcontroller需要進(jìn)入CCM模式，相比前三代的DCM恒流，CCM恒流需垍加變壓器原邊電流的中點(diǎn)采樣，以便將梯形波電流等效成方波電流，恒流精度受到影響。

　　

　　芯朋微智能MOS主要包合功率Mos模塊、高壓啟動Mos模塊、電流采樣MoS模塊，這些高壓模塊通過獨(dú)有的高壓集成技術(shù)在單硅片上實(shí)現(xiàn)，憑借著智能MOS優(yōu)勢，進(jìn)一步豐富第三代PSR產(chǎn)品，6W、12W、15W均推出800V PSRConverter版本，進(jìn)一步簡化外圍的應(yīng)用，更多開關(guān)電源芯片原邊反饋（PSR）方案資料可咨詢芯朋微資深代理商驪微電子。