電源芯片sdh8302s是用于開關(guān)電源的內(nèi)置高壓 MOSFET 的電流模式 PWM 控制器，內(nèi)置高壓啟動電路，在輕載下會進(jìn)入打嗝模式，具有降頻、抖頻、軟啟動、VDD 打嗝功能，還集成了 VDD 欠壓保護(hù)、VDD 過壓保護(hù)、前沿消隱、輸出短路保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)等各種異常狀態(tài)的保護(hù)功能，可PIN腳代換VIPER12A/AP8012H，被廣泛應(yīng)用于離線式開關(guān)電源、非隔離升壓降壓轉(zhuǎn)換器、小家電等領(lǐng)域。
 

　　

　　一、高壓啟動：SDH8302S內(nèi)置高壓啟動電路。啟動時，AC 輸入電壓從 DRAIN 端通過內(nèi)置高壓啟動恒流源，對 VDD 端外置電容C1 進(jìn)行充電，充電電流為 1mA，使得 VDD 電壓上升，當(dāng)升至啟動電壓 14.3V 時，將高壓啟動恒流源關(guān)斷，則 DRAIN端對 VDD 端停止充電，轉(zhuǎn)由輔助繞組 L1 通過二極管 D1 對 VDD 端進(jìn)行供電；如果 VDD 電壓降至欠壓保護(hù)點(diǎn)8.9V，則將高壓啟動恒流源重新打開，又由 DRAIN 端對 VDD 端進(jìn)行充電，使得 VDD 電壓上升，升至啟動電壓 14.3V。

　　

　　二、輕載打嗝：輕載時，如果輸出 VOUT 過高，反饋到 FB 端的輸入電流 IFB 超過關(guān)斷電流 1mA，則 SDH8302S關(guān)斷開關(guān)，使得VOUT 下降；而當(dāng) VOUT 降至 IFB 減小了 70uA 時，SDH8302S 重新打開開關(guān)，使得 VOUT 上升；重復(fù)上述過程，進(jìn)入打嗝模式，這會減少開關(guān)次數(shù)，從而有效地降低系統(tǒng)的待機(jī)功耗。

　　

　　三、降頻：為了進(jìn)一步優(yōu)化輕載條件下的轉(zhuǎn)換效率，SDH8302S 采用降頻模式，即通過檢測 FB 端的輸入電流 IFB 來調(diào)節(jié)開關(guān)頻 率。當(dāng) IFB 小于降頻開始點(diǎn) 830uA 時，開關(guān)頻率為60KHz；當(dāng) IFB 從降頻開始點(diǎn) 830uA 增至降頻結(jié)束點(diǎn) 930uA 時，開關(guān)頻率則從 60KHz 線性降至 20KHz；當(dāng) IFB 大于降頻結(jié)束點(diǎn) 930uA 時，開關(guān)頻率為 20KHz。

　　

　　四、抖頻：為了降低 EMI，SDH8302S 采用抖頻技術(shù)，即讓開關(guān)頻率在調(diào)制頻率 250Hz 下、抖頻范圍±2KHz 內(nèi)不斷地變化，減小在某一個單一頻率的對外輻射。

　　

　　五、軟啟動：電源芯片sdh8302s在軟啟動時間內(nèi)，限制功率管 MOSFET 的 DRAIN 端最大峰值電流，使其逐步提高，從而大大減小器件的應(yīng)力，防止變壓器飽和。

　　

　　六、VDD 打嗝：SDH8302S在輕載或者滿載與空載之間切換時，當(dāng)開關(guān)關(guān)斷導(dǎo)致 VDD 電壓下降至打嗝點(diǎn) 10.7V 時打開開關(guān)，使 VDD電壓上升；而當(dāng) VDD 電壓增大了 0.7V 時重新關(guān)斷開關(guān)，使得 VDD 電壓下降；重復(fù)上述過程，進(jìn)入打嗝模式，且 VDD電壓不會降至欠壓保護(hù)點(diǎn) 8.9V，這不僅防止 VDD 欠壓重啟，也有效地降低待機(jī)功耗。

　　

　　七、VDD 欠壓保護(hù)：電源芯片SDH8302S在異常狀態(tài)導(dǎo)致功率管 MOSFET 關(guān)斷后，VDD 電壓就會由于沒有能量供電而一直下降，當(dāng)降至欠壓保護(hù)點(diǎn) 8.9V 時，將內(nèi)置高壓啟動恒流源打開，則由 AC 輸入電壓從 DRAIN 端對 VDD 端進(jìn)行充電，使得 VDD 電壓上升，升至啟動電壓 14.3V 時，SDH8302S 就開始正常工作，這使得電路在異常狀態(tài)消除后能夠自動重啟。

　　

　　八、VDD 過壓保護(hù)：SDH8302S在 VDD 電壓達(dá)到過壓保護(hù)點(diǎn) 28V 后關(guān)斷開關(guān)，并鎖定保護(hù)狀態(tài)，使得 VDD 電壓下降，降至欠壓保護(hù)點(diǎn)8.9V 后使電路重啟。

　　

　　九、前沿消隱：由于電源芯片sdh8302s的 DRAIN 端存在寄生電容，這會導(dǎo)致功率管 MOSFET 在開通的瞬間存在較大的峰值電流，如果采樣到該信號，電路就會進(jìn)入過流保護(hù)狀態(tài)。為了防止這個誤觸發(fā)，SDH8302S設(shè)置在功率管 MOSFET 開通一段消隱時間300ns 后再進(jìn)行采樣。

　　

　　十、輸出短路保護(hù)：SDH8302S檢測到 FB 端輸入電流 IFB 小于 500uA 時，就判斷輸出負(fù)載短路，進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)，使得 VDD 電壓下降，降至欠壓保護(hù)點(diǎn) 8.9V 后使電路重啟。

　　

　　十一、過流保護(hù)：SDH8302S檢測到 DRAIN 端過流時減少開關(guān)次數(shù)，直至過流的異常狀態(tài)消除后才恢復(fù)正常的開關(guān)。

　　

　　十二、過熱保護(hù)：SDH8302S檢測到溫度達(dá)到過溫保護(hù)點(diǎn) 145°C 時關(guān)斷開關(guān)，當(dāng)檢測到溫度下降了 25°C 時重新打開開關(guān)。

　　

　　SDH8302S采用SOP-8封裝，電氣特性和功能與VIPER12A/AP8012H基本上一致，電源芯片sdh8302s是可以直接兼容PIN腳代換VIPER12A/AP8012H的，更多SDH8302S相關(guān)產(chǎn)品手冊及應(yīng)用資料請向我們申請。>>