PN8370M+PN8306M 5V2A六級能效充電方案，擁有外圍極簡、高可靠性、超低待機、高效率等優點，備受工程師們青睞。　　

　　PN8370M集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。　　

　　PN8306M集成同步整流控制器及高雪崩能力MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統中替代次級整流肖特基二極管，提升轉換效率，使得系統效率可以滿足6級能效標準，并留有足夠裕量。

　　

　　PN8370M+PN8306M方案亮點：　　

　　外圍簡潔（節省8顆元件）:PN8370M節省2顆啟動電阻；PN8306M獨特控制技術可實現零外圍工作，節省傳統SR方案的供電RC濾波，SW偵測電阻，RT電阻，RC吸收等6顆元件。　　

　　高可靠性：a.方案三道防線，實現SR與PSR零直通風險；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup電流大于400mA，顯著提高系統安規能力，接觸靜電高達15kV；c.PSR與SR匹配工作，徹底避免小載采樣沖突，異常工況下，SR做好配角，PSR主導所有異常保護。　　

　　低待機功耗:PN8370M內置高壓啟動，可輕松實現50mW待機功耗。

　　

　　PN8370M+PN8306M應用Q&A ：　　

　　Q1: PN8306M是否需要外并二極管提高穩定性？　　

　　A1:  PN8306M產品定位是做好PSR的配角，無需外并二極管　　

　　a. PN8306M的供電欠壓保護點(2.8V)低于PN8370M的輸出欠壓保護點(3.1V)，異常工況下，PN8370主導方案所有保護。　　

　　b. PN8306M內部自適應Ton,min，SR關斷點滯后于PN8370M的原邊采樣點，徹底避免小載不穩定問題。

　　

　　Q2: PN8306M如何提高方案的安規能力？　　

　　A2:得益于以下獨特設計，VCC腳外掛0.1uF去耦電容，系統靜電能力可提高至接觸15kV　　

　　a. PN8306M內部集成高雪崩能力MOSFET。　　

　　b. HBM ESD大于4kV，Latchup電流大于400mA，顯著提高芯片抗異常電壓/電流沖擊能力。

　　

　　Q3: 方案如何避免PSR與SR直通問題？　　

　　A3: PN8370M+PN8306M以三道防線徹底解決直通問題　　

　　第一道：PN8306M基于面積法的防振鈴誤開通算法可有效避免SR被振鈴干擾誤開通。　　

　　第二道：PN8370M采用專利跳谷底開通算法，PSR開通點與SR振鈴可能誤開通點相位上錯開180度，有效避免直通。　　

　　第三道： PN8370M內部的智能MOSFET上含有電流采樣管，即使直通也可快速精準保護，避免電源損壞。