SD8666QS 是用于開(kāi)關(guān)電源的內(nèi)置高壓功率MOSFET、外置采樣電阻的準(zhǔn)諧振電流模式PWM+PFM 控制器。有多重模式控制，具有抖頻、峰值電流補(bǔ)償、軟啟動(dòng)功能，還集成各種異常狀態(tài)的保護(hù)功能。SD8666QS功率mosfet芯片 可減少外圍元件，增加效率和系統(tǒng)的可靠性，適用于反激式變換器。
 

　　

　　

　　一、多種控制模式　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片具有多重模式控制。在重載條件下（VFB>2V），系統(tǒng)會(huì)有兩種工作狀態(tài)，當(dāng)輸入電壓低時(shí)，工作在CCM模式，此時(shí)為PWM 控制，固定頻率55KHz，當(dāng)輸入電壓高時(shí)，工作在DCM 模式，此時(shí)工作在QR 模式，可以減小開(kāi)關(guān)損耗，最大頻率限制在69KHz。隨著負(fù)載降低，在中載和輕載條件下（1.3V<VFB<2V），工作在QR+PFM 模式，最大限制頻率開(kāi)始降低直到最低頻率23KHz，期間谷底開(kāi)通仍然存在，可以提高轉(zhuǎn)換效率。在空載和極輕負(fù)載條件下（VFB<1V），進(jìn)入打嗝模式，有效地降低待機(jī)功耗。　　

　　SD8666QS 具有低壓重載升頻功能，輸入電壓低于100V 時(shí)，重載條件下，（VFB>2.4V），頻率隨FB 電壓增加而升高，提高低壓的極限輸出功率。　　　

　　

　　二、抖頻　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片采用抖頻控制來(lái)改善EMI 性能，使得整個(gè)應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)會(huì)變得更簡(jiǎn)單。　　

　　峰值電流補(bǔ)償SD8666QS 通過(guò)檢測(cè)DEM 管腳在開(kāi)通時(shí)流出的電流判斷輸入電壓的高低，并將檢測(cè)到的電流轉(zhuǎn)換成峰值電流的補(bǔ)償量。另外低壓升頻功能可以有效提高低輸入電壓時(shí)的極限輸出功率，保證不同交流電壓輸入時(shí)極限輸出功率一致性。

　　

　　三、軟啟動(dòng)　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片內(nèi)置4ms 軟啟動(dòng)時(shí)間，以限制功率MOSFET 的DRAIN 端最大峰值電流，使其逐步提高，從而減小器件的應(yīng)力，防止變壓器飽和。

　　

　　四、VCC 過(guò)壓保護(hù)　　

　　當(dāng)VCC 電壓超過(guò)過(guò)壓保護(hù)點(diǎn)26V 時(shí)，觸發(fā)VCC 過(guò)壓保護(hù)，此時(shí)功率MOSFET 關(guān)斷，系統(tǒng)將自動(dòng)重啟。
 

　　

　　VCC 過(guò)壓保護(hù)的波形圖　　

　　當(dāng)輸出發(fā)生過(guò)載時(shí)， FB 電壓會(huì)升高，當(dāng)升到FB 過(guò)載保護(hù)點(diǎn)4.2V 時(shí)，且再經(jīng)過(guò)過(guò)載保護(hù)延時(shí)90ms 后，功率MOSFET關(guān)斷，VCC 電壓開(kāi)始下降；當(dāng)VCC 電壓降到關(guān)斷電壓8V 時(shí)，電路重新啟動(dòng)。　
 

　

　　輸出過(guò)載保護(hù)的波形圖

　　

　　五、前沿消隱　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片內(nèi)置的前沿消隱電路可以防止功率MOSFET 開(kāi)通時(shí)產(chǎn)生的電流尖刺造成的誤關(guān)斷，這樣外圍RC 濾波電路可以省去。在前沿消隱時(shí)間內(nèi)，脈寬調(diào)制比較器和峰值限流比較器是不工作的，而功率MOSFET 在這段時(shí)間內(nèi)是保持導(dǎo)通狀態(tài)的，所以功率MOSFET 開(kāi)啟的最小時(shí)間就是前沿消隱的時(shí)間TLEB。
 

　　

　　六、逐周期峰值電流限制　　

　　在每一個(gè)周期，峰值電流值由比較器的比較點(diǎn)決定，該電流值不會(huì)超過(guò)峰值電流限流值，保證功率MOSFET 上的電流不會(huì)超過(guò)額定電流值。當(dāng)電流達(dá)到峰值電流以后，輸出功率就不能再變大，從而限制了最大的輸出功率。如果負(fù)載過(guò)重，會(huì)導(dǎo)致輸出電壓變低，反饋到FB 端，導(dǎo)致FB 電壓升高，發(fā)生輸出過(guò)載保護(hù)。　　

　　

　　七、輸出二極管短路保護(hù)　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片通過(guò)檢測(cè)CS 端實(shí)現(xiàn)輸出二極管短路保護(hù)功能。由于輸出二極管短路會(huì)導(dǎo)致原邊瞬間過(guò)流，當(dāng)電流采樣電阻上的CS 電壓連續(xù)4 個(gè)周期都大于1V 時(shí)，就判定輸出二極管短路。此時(shí)功率MOSFET 關(guān)斷，且進(jìn)入鎖定狀態(tài)。當(dāng)AC 輸入電壓斷開(kāi)，VCC 電壓下降至鎖定點(diǎn)5V 時(shí)，才能解除鎖定狀態(tài)；當(dāng)AC 輸入電壓重新上電后，系統(tǒng)將重新啟動(dòng)。

　　

　　八、AC 輸入電壓欠壓保護(hù)　　

　　在功率MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，輔助繞組電壓為負(fù)，DEM 管腳鉗位為0V。SD8666QS 通過(guò)設(shè)定外部檢測(cè)電阻，檢測(cè)DEM管腳流出的電流。當(dāng)流出電流小于95A 時(shí)，且時(shí)間超過(guò)Brown out 抗干擾時(shí)間時(shí)，進(jìn)入AC 輸入電壓欠壓保護(hù)狀態(tài)，功率MOSFET 截止，系統(tǒng)將自動(dòng)重啟。當(dāng)檢測(cè)到電流大于110A 時(shí)，則恢復(fù)正常工作。　　

　　

　　九、可調(diào)節(jié)的輸出電壓過(guò)壓保護(hù)　　

　　SD8666QS 的DEM 管腳在開(kāi)關(guān)截止且副邊續(xù)流時(shí)期，作為輸出電壓檢測(cè)管腳。當(dāng)DEM 管腳電壓超過(guò)OVP 電壓閾值2.5V 時(shí)，進(jìn)入輸出電壓過(guò)壓保護(hù)狀態(tài)，功率MOSFET 截止，系統(tǒng)將自動(dòng)重啟。

　　

　　十、過(guò)溫保護(hù)　　

　　當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)，為了保護(hù)電路不會(huì)損壞，電路會(huì)觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)，此時(shí)功率MOSFET 關(guān)斷，且該狀態(tài)一直保持，直到冷卻后系統(tǒng)將自動(dòng)重啟。