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ir2110驅(qū)動(dòng)替代料ID7S625高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片

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文章出處:驪微電子責(zé)任編輯:電源管理芯片人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-05-10
  IR2110驅(qū)動(dòng)是大功率MOSFET和IGBT專用柵極驅(qū)動(dòng)集成電路,已在電源變換、馬達(dá)調(diào)速等功率驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域中獲得了廣泛的應(yīng)用,ir2110驅(qū)動(dòng)替代料ID7S625高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片不僅簡(jiǎn)化了系統(tǒng)電路,更提高了電路效率,實(shí)現(xiàn)了電路結(jié)構(gòu)的高頻化、小型化。
  
  ir2110替代芯片ID7S625特性  
  ■ 高側(cè)浮動(dòng)偏移電壓600V  
  ■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V/15V  
  ■ 自舉工作的浮地通道  
  ■ 芯片工作電壓范圍10V一20V  
  ■ 所有通道均具有欠壓保護(hù)功能(UVLO)  
  ■ 輸出電流能力2.5A  
  ■ 所有通道均有延時(shí)匹配功能
  
  ir2110驅(qū)動(dòng)替代料ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片具有體積。ú捎肳SOP-16封裝)、集成度高(可用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)N溝道功率MOSFE或IGBT半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)),響應(yīng)快(dV/dt 75 V/ns),驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)(IO+/IO 2.5/2.5 A)等優(yōu)點(diǎn),內(nèi)置欠壓保護(hù)、延時(shí)匹配功能可以為更好的適配高頻應(yīng)用。
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