ID5S609F1 600V半橋驅(qū)動芯片浮動通道可用于驅(qū)動最高600V的N溝道MOSFET或IGBT，通斷時間180ns/250ns。兼容ir2304驅(qū)動芯片，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、半橋功率逆變器、全橋功率逆變器、任意互補驅(qū)動轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
 

　　

　　ir2304驅(qū)動芯片替代料ID5S609F1特性　　

　　■ 高側(cè)浮動偏移電壓600V　　

　　■ 輸入邏輯兼容3.3V和5V　　

　　■ dV/dt抗干擾能力±50V/nsec　　

　　■ 自舉工作的浮地通道　　

　　■ 芯片工作電壓范圍10V-20V　　

　　■ 高低側(cè)均具有欠壓保護功能　　

　　■ 輸出拉灌電流能力400mA/800mA　　

　　■ 高低側(cè)通道均延時匹配　　

　　■ 死區(qū)時間典型值為180ns
 

　　

　　半橋驅(qū)動芯片ir2304替料ID5S609F1只要用一個大功率三極管或MOS直接帶動電機即可，當電機需要雙向轉(zhuǎn)動時，可以使用由2個功率元件組成的H橋電路，通過改變流入電機的電流方向從而改變電機轉(zhuǎn)向。
 

　　

　　ir2304驅(qū)動芯片替代料ID5S609F1半橋驅(qū)動芯片是具有高低側(cè)參考輸出通道，耐壓高、高速的MOSFET和IGBT驅(qū)動IC，邏輯輸入兼容標準CMOS或LSTTL輸出，邏輯電壓可降至3.3 V。由于其易于設(shè)計驅(qū)動電路、外圍元器件少、驅(qū)動能力強、可靠性高、靈活等優(yōu)點在MOSFET驅(qū)動電路中得到廣泛應(yīng)用，更多IR2304替代料ID5S609F1 600V半橋驅(qū)動芯片基本功能、外圍電路設(shè)計、參數(shù)選型以及Layout注意事項，請咨詢我們。>>