驅(qū)動(dòng)芯片在驅(qū)動(dòng)電路中是必不可少的關(guān)鍵器件，ID2206D高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可用于驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT構(gòu)成的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，良好的延時(shí)匹配功能可以輕松的適用于高頻應(yīng)用場合，典型應(yīng)用于高壓風(fēng)機(jī)和泵、步進(jìn)馬達(dá)等，可兼容代換ir2106驅(qū)動(dòng)。

　　

　　ir2106代換芯片ID2206驅(qū)動(dòng)特性　　

　　■ 內(nèi)置自舉二極管　　

　　■ 高側(cè)浮動(dòng)偏移電壓600V　　

　　■ 輸入信號兼容3.3V 和5V邏輯電平　　

　　■ 輸出拉灌電流能力210mA / 360mA　　

　　■ dV/dt 抗干擾能力±50V/nsec　　

　　■ 芯片工作電壓范圍 10V ~20V　　

　　■ 高低側(cè)均具有欠壓保護(hù)功能　　

　　■ 高低側(cè)通道均延時(shí)匹配　　

　　■ 死區(qū)時(shí)間典型值為150 ns
 

　　

　　D2206D高端的工作電壓可達(dá) 600V， 低端Vcc 的電源電壓范圍寬 10V～20V，輸入信號兼容3.3 V 和5 V邏輯電平，該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時(shí)導(dǎo)通， 輸入通道 HIN 和 LIN 內(nèi)建了一個(gè)200K 下拉電阻，在輸入懸空時(shí)使上、下功率 MOS 管處于關(guān)閉狀態(tài)，輸出電流能力IO+/210/360 mA。

　　

　　ID2206D是基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片和IR2106芯片都是采用SOP-8封裝，功能和性能基本一致，ID2206D高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可兼容代換ir2106驅(qū)動(dòng)的，被廣泛應(yīng)用于高壓風(fēng)機(jī)、風(fēng)筒、家電產(chǎn)品等領(lǐng)域。