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萬(wàn)代ao 60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS替料SVGP069R5NSA

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文章出處:驪微電子責(zé)任編輯:電源管理芯片人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-04-20
  選擇到一款合適的MOS管,可以確保設(shè)備得到最高效、最穩(wěn)定、最持久的應(yīng)用效果,但不同品牌同一類型的MOS管,如果耐壓、導(dǎo)通電阻、封裝參數(shù)基本一致的話,是可以相互兼容替代的。
  
  SVGP069R5NSA是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管,采用士蘭的MOS工藝技術(shù)制造。漏極電壓VDS:60V,漏極脈沖電流ID:14A,導(dǎo)通電阻RDs(on)(典型值)=8.0mΩ @Vcs=10V具有較低的導(dǎo)通電阻、優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
  
  萬(wàn)代ao 60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS替料SVGP069R5NSA參數(shù)對(duì)比
型號(hào) 漏極電壓VDS 柵源電壓VGS 導(dǎo)通電阻RDS(ON) 漏極脈沖電流ID
SVGP069R5NSA 60V ±20 8.0-9.5mΩ 14A
AO4264E 60V ±20 8.0-9.8mΩ 13.5A
VS6410AS 60V ±20 11-13mΩ 12A
  
  萬(wàn)代ao 60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS和SVGP069R5NSA都采用SOP-8封裝,都是N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管,耐壓、導(dǎo)通電阻萬(wàn)代ao 60v mos管AO4264E和SVGP069R5NSA基本一致,而SVGP069R5NSA在同一電壓下,導(dǎo)通電阻RDS(ON)更優(yōu)于威兆VS6410AS,被廣泛應(yīng)用于二次同步整流及逆變器系統(tǒng)的電源管理領(lǐng)域。
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